Genauer versteht man unter der Steilheit S des Transistor das Verhältnis von Kollektorstromänderung zur Basis-Emitterspannungsänderung: S= Delta-Ic/Delta-Ube. Sie beträgt: Die Steilheit hängt nur vom Kollektorstrom ab und ist völlig unabhängig von verwendeten Transistor. Ein Beispiel soll von einem Kollektorstrom von 1 mA ausgehen. Die Steilheit beträgt also Ein Transistor besitzt verschiedene Kenndaten, die im Betrieb nicht überschritten werden dürfen. Dazu gehören Grenzspannungen, Grenzströme und die maximal zulässige Verlustleistung. Werden diese Werte überschritten, tritt ein Durchbruch auf, bei dem das Halbleitermaterial im Transistor schmilzt und dadurch dauerhaft leitfähig wird bzw. verdampft. Wenn Halbleitermaterial verdampft, kann durch den entstehenden Gasdruck das Transistorgehäuse aufgesprengt werden. Die Werte von. The Animals - House of the Rising Sun (1964) HQ/Widescreen ♫♥ 56 YEARS AGO - Duration: 4:09. The Animals Tribute Channel Recommended for yo FETs weisen außerdem eine geringere Steilheit ΔI Ausgang /ΔU steuer gegenüber vergleichbaren Bipolartransistoren auf. Aufgrund der unterschiedlichen Eigenschaften von Bipolar- sowie Feldeffekttransistoren wurden 1984 auf Basis von MISFETs der Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode (englisch insulated-gate bipolar transistor, IGBT) entwickelt. Er stellt eine Kombination von Feldeffekttransistor und Bipolartransistor dar, ist aber im Einsatzbereich auf höhere. Transistoren Seite 18 WS 2019/2020. Anforderungen: Hohe Steilheit und kurze Laufzeiten. Mikrowellen-FET. Gleichzeitige Erfüllung möglichst vieler Kriterien: Hohe Ansprüche an BE-Entwurf und Technologien. Rauschzahl. Frequenzabhängig durch S(f) ~ 1/f. Hauptsächlich thermisches Rauschen, das bei tieferen Temperaturen abnimmt. 1. Hohe Dotierung im Kanal (hohe Leitfähigkeit
Verglichen mit der Steilheit eines Bipolartransistors ergeben sich zwei wichtige Unterschiede: • Die Steilheit hängt vom Kennlinienparameter β und somit von der Art und Größe des Transistors ab. • Die Steilheit wächst lediglich mit der Wurzel des Drainstromes an. Neben der Steilheit ist noch der Ausgangswiderstand rD von Bedeutung. Er ist gegeben durch die Änderung de Standardelektroden erreichen heute etwa eine Steilheit von 59 mV pro Größenordnung über weite Konzentrations- bzw. pH-Bereiche. eine Kenngröße von Elektronenröhren: die Steilheit gibt das Verhältnis von Anodenstromänderung zu einer Gitterspannungsänderung an, siehe Barkhausensche Röhrenformel und Transkonduktanz. Sie wird hier in mA/V (Milliampere pro Volt) angegeben und ist bei einem gegebenen Arbeitswiderstand ein Maß für den Verstärkungsfaktor. Im nebenstehenden. Transkonduktanz, auch als Steilheit bekannt, ist eine Kenngröße für bestimmte elektronische Bauelemente wie Verstärker
Der Transistor entspricht einem geschlossenen Schalter mit konstantem Durchgangswiderstand (Linker Bereich im Ausgangskennlinienfeld). Sofern sich der Arbeitspunkt eines Linearverstärkers nicht weit genug entfernt vom Sättigungsbereich befindet oder die Amplitude des Signals zu hoch ist, tritt Übersteuerung ein, der Verstärker begrenzt das Signal und es treten Verzerrungen auf. Das Sperren der Basis-Kollektor-Strecke verzögert sich, da erst alle überschüssigen. Die Steilheit g m hängt bei vorgegebener Temperatur T nur noch vom Ausgangsstrom IC ab. Dieser Zusammenhang gilt ganz allgemein, un-abhängig davon, wie der Transistor aufgebaut ist. Das Ausgangskennlinienfeld I C =f(U CE)mit IB oder UBE als Parameter. Für den Ausgangsstrom IC gilt: I C =BI B Der Kollektorstrom IC hängt auf Grund der. Der Begriff Steilheit wird in der Technik häufig für den Anstieg einer Kennlinie verwendet. Mathematisch betrachtet ist die Steilheit die Steigung beziehungsweise der Differenzenquotient der Kennlinie oder Kurve. Der Anstiegswinkel der Kennliniendarstellung ist dagegen abhängig von den Maßstäben der Koordinatenachsen
Steilheit. Da ein Transistor für die Verwendung in einem Verstärker auf einen Arbeitspunkt eingestellt wird, und dieser sehr klein ist, kann der Zusammenhang zwischen Basis-Emitterspannung und Kollektorstrom für diesen Punkt als linear angenommen werden. Die Steigung dieser Geraden wird Steilheit genannt und beschreibt das Verhalten eines Transistors in einem bestimmen Arbeitspunkt. Dies Steilheit ist daher wie folgt definiert Transistor-Kennlinienfelder. Bipolare Transistoren haben die Stromgrößen I E, I C, I B und die Spannungsgrößen U CE, U BE, U C (CB). Die Zusammenhänge zwischen den einzelnen Strömen und Spannungen würde insgesamt 30 Kennlinienfelder ergeben. Sofern man einen bipolaren Transistor als Verstärker oder Schalter verwendet, reichen 4 Kennlinienfelder aus. Den Zusammenhang zwischen den relevanten Werten wird in einem Vierquadrantenkennlinienfeld dargestellt. Je nach Grundschaltung sehen. Steilheit U Der Bipolar-Transistor Seite: 6 8 Grundlagen des Transistors 4-Quadranten-Kennlinienfeld des npn-Bipolartransistors Stromsteuerungs-, Ausgangs und Eingangskennlinie beschreiben das Verhalten Übertragungskennlinie: Variieren der Basis-Emitter-Spannung U BE und Messen des Ausgangsstroms I C bei konstanter Kollektor-Emitter-Spannung U C
1.2.2. Feldeffekt-Transistor T UGS / V-5 -4 -3 -2 -1 0 ID / A 0 1m 2m 3m 4m 5m Die Steilheit S = ΔI D/ΔU GS (Einheit Siemens) beschreibt den Zusammenhang zwischen Drainstrom und Gate-Source-Spannung. Aus der Grafik ist der quadratische Verlauf I D ~ (U GS-U p) 2 ersichtlich. Nur für kleine Signale ΔU GS kann die Parabel genügend genau durc B(t) Steuergr¨oße des bipolaren Transistors ist, wird gelegentlich auch die Spannungssteuerung betrachtet. Dazu wird der (bei FETs g¨angige) Begriff der Steilheit S verwendet: S = ∆I C ∆U BE U CE=const Die zugeh¨origen Kennlinien sind in Abbildung 8 dargestellt. Bild 8: Links: Ubertragungs-, rechts: Ausgangskennlinienfeld, letzteres mit¨ * * * Steilheit, Elektronik: bei aktiven Elementen allgemein deacademic.com DE. RU; EN; FR; ES; Sich die Webseite zu merken Gleichstromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es.
Der wichtigste Parameter, der die Verstärkung des Transistors angibt, ist die Steilheit (engl. transconductance), die sich nach Gleichung 2 berechnen lässt 4.1 - Steilheit - Theorieteil Bei einem Transistor berechnet sich der Durchlasswiderstand rBE der BE-Strecke zu: Der reziproke Wert von rBE wird als Steilheit S bezeichnet. Sehr häufig werden mit einer Transistorschaltung kleine Wechselspannungen verstärkt Steilheit: gm;S;y21 gm = @ID @UGS AP = Kn (UGS UTHN)(1+ UDS) Ausgangsleitwert: y22 = @ID @UDS AP = Kn 2 (UGS UTHN) 2 = ID 1+ UDS Ausgangswiderstand: rO = 1+ UDS ID = 1 +UDS ID Steilheit falls Bulk nicht auf Source gmb = @ID @UTHN @UTHN @USB gmb = (gm) (2 p USB +2 F) 2.3 J-Fet 2.3.1 Wirkunksprinzip S¨attigungsbereich: UDS UGS UP 0 ID = IDSS (1 UGS UP)2 (1+ UDS) Triodenbereich: UGS Up UDS 0 ID = IDSS U2 P (UGS U Somit ergibt sich für die Steilheit des Vorstufen Transistors bei fe = 10 MHz, bezogen auf den äußeren Basis-Anschluß des Transistors, Vuv 3,3 -3 S=zü = 124:26,6·10 5=26,6mA/V Dieser Wert ist bei einem Kollektorstrom lc = 0, 8 mA auch zu erwarten • Der Übertragungswiderstand zwischen Mischstufe und erster ZF-Stufe wird aus dem primär- se kundärseitig belasteten Bandfilter sowie.
Die Transistor Kennlinienfelder. Die Arbeitsweise bipolarer Transistoren beruht auf mehreren Betriebsparametern. Die verschiedenen Spannungen und Ströme stehen zueinander in bestimmten Verhältnissen und es wird zwischen einem statischen und dynamischen Betriebsfall unterschieden. Der statische Betrieb ist durch feste Gleichspannungs- und Gleichstromwerte definiert. Der dynamische Betrieb. Transistoren werden überwiegend als Schalter oder Verstärker eingesetzt. Aufbau des bipolaren Transistors. Jeder bipolare Transistor besteht aus drei dünnen Halbleiterschichten, die übereinander gelegt sind. Man unterscheidet zwischen einer npn- oder pnp-Schichtenfolge. Die mittlere Schicht ist im Vergleich zu den beiden anderen Schichten sehr dünn. Die Schichten sind mit metallischen.
Stromverstärkung βund die Steilheit S des Transistors im Arbeitspunkt. vi) Berechnen Sie den Verstärkungsfaktor v der Verstärkerstufe. 19 Transistor als Schalter 6. Bipolare Transistoren 6.5. Der Transistor als Schalter B=1mA B=2mA B=3mA B=4mA B=5mA CE/ C/mA. 20 Übungsaufgabe 6.2 (a) 6. Bipolare Transistoren U B Der Schaltplan zeigt eine kontaktgesteuerte. Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… Transistoren arbeiten in Verstärkerschaltungen mit einem definierten Arbeitspunkt, um den herum ein Eingangssignal weitgehend linear und verzerrungsfrei verstärkt wird. In einer zweiten Betriebsart wird zwischen zwei Arbeitspunkten gewechselt, wobei der Transistor die Funktion eines elektronischen Schalters hat. Seine beiden Betriebszustände wechseln zwischen voll leitend, der Schalter ist. WERDE EINSER SCHÜLER UND KLICK HIER:https://www.thesimpleclub.de/goTransistoren, nicht mehr wegzudenken aus der heutigen Technik. Sie treffen für uns Entsch..
Feldeffekttransistor. Der Feldeffekttransitor - FET (englisch Field Effect Transistor) ist ein Halbleiterbauelement.Im FET findet der Stromtransport nur durch eine Ladungsträgerart statt und unterscheidet sich so vom bipolaren Transistor mit seinem gleichzeitigem Ladungstransport durch Elektronen und Defektelektronen (Löchern). Der FET ist ein Unipolartransistor und in seinen Eigenschaften. Steilheit bestimmen: Bei einer NF-Endröhre z.B. die Steuergitterspannung so einstellen, dass 30 mA Anodenstrom fließen. Nun die Steuergitterspannung um 100 mV verändern. Verändert sich dadurch der Anodentrom um 0,5 mA, hat die Röhre an diesem Arbeitspunkt eine Steilheit von 0,5 mA / 100 mV = 5 mA / Volt. Mit guten Multimetern lassen sich die Veränderungen ablesen. Von solchen Multimeter Grundfunktion des Transistors Stromverstärkung Typen von Transistoren Transistor-Kennlininen Videos zum Kapitel 5: Emitterschaltung Arbeitspunkt Gegenkopplung Transistor-Steilheit Emitterfolger Darlingtonschaltung Differenzverstärker Gegentaktverstärker Konstantstromquelle Videos zum Kapitel 6: Statische Flip-Flops Monoflop Der Schmitt. Die typische Kennlinien eines FET kommen aus einem Punkt, im Gegensatz zum Bipolaren Transistor, bei dem die Kennlinien aus einem Stamm kommen. Jede der Kennlinien gilt für eine bestimmte Gatespannung U GS. Bei einer Gatespannung von 0 V ist die Sperrschicht am schmalsten bzw. kleinsten. Hier fließt der größte Strom I D durch den Kanal. Ab der Abschnürgrenze lässt sich der Strom durch. ist proportional zur Eingangsspannungsdifferenz.Die Steilheit SD = dIa dUD AP (5.5) gibt an, wie stark der Ausgangsstrom mit der Eingangsspannungsdifferenz ansteigt. Die Steilheit des Verstärkers ist verwandt mit der Steilheit eines Transistors. Die typische Übertragungskennlinie eines VC-Operationsverstärkers ist in Abb. 5.4b dargestellt. Ma
NMOS - Transistor: m 2* N * OX * * ID0 L W g = µ C PMOS - Transistor: m 2* P * OX * * ID0 L W g = µ C JFETransistor (IDSS statt K): * * 0 2 DSS D P m I I V g − = gm Steilheit [Siemens] VGS0 VGS im Arbeitspunkt ID0 Drainstrom im Arbeitspunkt K Proportionalitätsfaktor (siehe oben) NMOS oder n-Kanal FET PMOS oder p-Kanal FE Transistor (TRA) Stand: 13. Oktober 2015 Seite 1 Der Bipolar-Transistor und die Emitterschaltung (TRA) Themengebiet: Elektrodynamik und Magnetismus 1 Literatur Ulrich Tietze, Christoph Schenk, Halbleiterschaltungstechnik, Springer, 1991 2 Grundlagen In diesem Versuch geht es um die Anwendung des Bipolartransistors in einer Verstärkerschaltung und allge-meiner um die Berechnung elektrischer.
Bekanntlich ist die Steilheit eines Transistors etwa durch das Verh¨altnis des Kollektor-stroms zu U T ≈ 25 mV gegeben. Fließen diese Str¨ome jedoch durch R E, dann erzeugen sie einen Spannungsabfall von ≈ U b Gleichung 4.12 kann deshalb auch umgeschrieben werden: V uD V uG = IR E U T = U b 2U t (4.13) Die erzielbare Gleichtaktunterdr¨uckung h ¨angt also einzig davon ab, wie hoch man. Den Transistor nennt man daher selbstsperrend, da er von selbst, also ohne das Anlegen einer Gatespannung, sperrt. Ein Stromfluss ist also ohne Gatespannung nicht mlgöcih. Legt man nun eine Gatespannung an, so bildet sich zwischen den n-dotierten Inseln im p-dotierten Substrat durch das entstandene elektrische Feld ein n-dotierter Kanal. Dieser n-dotierte Kanal ist umso größer, je höher.
Betrachtet man die Transistorentwicklung zeigt sich eine Leistungssteigerung des Transistors mit immer kleineren Strukturgrößen. Kapazitäten werden kleiner, die Versorgungsspannung nimmt ab, die Bandbreite von Schaltungen nimmt zu und der Leistungsverbrauch bei gleicher Frequenz ab. Während in den letzten 50 Jahren die Strukturen regelmäßig kleiner wurden, kommt man langsam an eine. Steilheit ² (f) крутизн Wegen hoher Steilheit eignen sich Bipolar-Transistoren besser fur Digital-¨ Schaltungen mit geringer Verlustleistung. Aufgrund des geringen Flachenbedarfs eignet sich die Bipolar-Technologie be-¨ sonders gut fur komplexe Schaltungen.¨ Sowohl die Verstarkung als auch die Bandbreite sind bei Bipolar-Transistoren im¨ allgemeinen großer als bei CMOS-Transistoren.¨ Wegen der hohen Verstarkung.
BC547 / BC547A / BC547B / BC547C Discrete POWER & Signal Technologies NPN General Purpose Amplifier BC547 BC547A BC547B BC547C This device is designed for use as general purpose amplifier Zur Bestimmung der Steilheit wird der (im Schaltbild) linke Anschluß gewählt. Die Betriebsspannung liegt dann über den Arbeitswiderstand von 100 Ohm an der Anode des ausgewählten Systems und ist praktisch gleich der Anodenspannung. Der Schaltungsteil mit dem Transistor BF459 ist damit außer Funktion. System 1 oder System 2 der Doppeltriode.
Dann hat die Röhre eine Steilheit von 5 mA/Volt. Je steiler die Röhre, desto höher ist die Verstärkung. So ist dies der Fall beim einem FET, der eine spannungsgesteuerte Stromquelle darstellt oder bei einem bipolaren Transistor, der eine stromgesteuerte Stromquelle darstellt (Bildquelle: Wikipedia). Millereffekt bei der Triode: Zwischen den einzelnen Elektroden einer Röhre existieren. Unipolare Transistoren (Feldeffekttransistoren, FETs) haben - wie die bipolaren Transistoren - drei Anschlüsse. Sie werden mit Source, Drain und Gate bezeichnet. Über den Gate- Anschluß kann eine Steuerwirkung auf den Stromfluß zwischen Source und Drain ausgeübt werden. Dabei besteht zwischen Source und Drain ein Kanal aus Halbleitermaterial eines einzigen Leitfähigkeitstyps; es.
institut mikro- und nanoelektronische systeme leiter: prof dr. rer. nat. habil. michael siegel hertzstr. 16 d-76187 karlsruhe telef on: fax: e-mail: +49 60 Look at other dictionaries: Steilheit — Der Begriff Steilheit wird in der Technik häufig für den Anstieg einer Kennlinie verwendet. Mathematisch betrachtet ist die Steilheit die Steigung beziehungsweise der Differenzenquotient der Kennlinie oder Kurve Ausgangsseitig arbeitet der Transistor praktisch im Kurzschluss, weil der Collectorwiderstand R6 nur 18 Ohm hat. Der Ausgangspegel ist dadurch klein (70dBuV). Deshalb gibt es keine merkliche Rückwirkung zur Basis. Um den Mischprozess zu verstehen, ist es wichtig zu wissen, dass die Steilheit eines Transistors proportional zu seinem Emitterstrom ist. Die Spannungsverstärkung am Collector ist. Bipolar-Transistor, Verstärker- und Schalterbaulement, aufgebaut aus drei dotierten Halbleiterschichten mit der Folge n-p-n (npn-Transistor) oder p-n-p (pnp-Transistor), also zwei in Reihe liegenden Dioden.Die drei Schichten haben die Bezeichnungen Emitter, Basis und Kollektor.In der Regel wird der Emitter stark, die Basis schwach und der Kollektor mittelstark dotiert Zusammenfassung. Schaltungen, deren primäre Funktionsweise die proportionale Abhängigkeit der Steilheit vom Kollektorstrom bei Bipolar-Transistoren ausnutzt, wurden von Gilbert [1] als 'translinear' bezeichnet, und diese Bezeichnungsweise soll hier übernommen werden.Translineare Schaltungen sind nur als integrierte Schaltungen realisierbar
f steepness; PHYS., von Röhren: slope * * * die Steilheit steepness * * * Steil|heit f no pl steepness * * * die steepness * * * Steil·heit < > f kein pl steepness * * * Steilheit f steepness; PHY Steilheit eines Transistors : strmina tranzistora : 2005Gegründet ; 250.635Deutsch-Kroatische Beispielsätze ; 312.211Deutsche-Kroatische Übersetzungen ; Über croDict. Impressum; Datenschutz; Folgen Sie uns auf: Facebook; Steilheit | Deutsch Kroatisch Übersetzung im Wörterbuch » croDict croDict. Search × Übersetzen. 99+ Suchanfragen × Deine letzten Suchanfragen Nicht gefundene Wörter. Steilheit. Interpretation Translation Steilheit f ELEKTRON mutual conductance. Deutsch-Englisch Wörterbuch für Informatik. 2015. Steigungseinstellung; Steilheitskennlinie; Look at other dictionaries: Steilheit.
dioden aufgabe eine siliziumdiode wird in durchlassrichtung betrieben. und n-seite sind homogen dotiert, es handelt sich um einen abrupten pn-übergang. di Steilheit f == крутизна́; ра́дио крутизна́ характери́стики. Allgemeines Lexikon. 2009.. Steilhan
Steilheit noun feminine. In contrast the transconductance of the MOS-transistor is lower but it has an insulating gate and yields an excellent bidirectional switch. Der MOS-Transistor besitzt dagegen eine geringere Steilheit, hat jedoch den Vorteil, daß er keinen Eingangsstrom benötigt und er ist gleichzeitig ein nahezu idealer Schalter. @GlosbeMT_RnD. Transkonduktanz noun feminine. A. Transistoren Q7 und Q8 bilden den Eingangs-Differenzverstärker. Die Transistoren Q2 und Q4 bilden einen Stromspiegel. Der Strom IC1 durch Q2 und damit durch Q8 wird auf Q4 gespiegelt. Der Strom IC2 ist gegeben durch : Der Strom in die Basis von Q5 ist nun gegeben durch : Die Widerstände R1 und R2 ermöglichen mit einem externen 10kW-Widerstand den Abgleich der Ausgangsspannung: Q5 und Q1. <?claim?> Schaltungsanordnung (100; 200; 300) zur Einstellung einer Übertragungscharakteristik-Steilheit, mit einer ersten, einer zweiten, und einer dritten Einrichtung (121, 122, 123; Stei/lheit f o.Pl. стръмнина. Deutsch-Bulgarisch Wörterbuch. Steilheit
Unipolar-Transistor, FET, MOSFET Ueberblick und Kurzrepetition FET/MOSFET (vs. Bipolartransistor) Inhalt: - FET/MOSFET anschauliche Betrachtung anhand Modell - Begriffe - Uebersicht Kategorien von FETs - Anwendung MOSFETs - Steuergrössen, gesteuerte Grössen (Steilheit, Pv vs. Rdson) - Gehäuseformen - Demo-Schaltung aufbauen Achtung, der MOS-Transistor verändert die Welt: CMOS-Inverter. Transistor-Kennlinien. Steuerkennlinienfeld I C = f (I B) Ausgangskennlinienfeld I C = f (U CE) Eingangskennlinienfeld I B = f (U BE) Eingangskennlinienfeld I B = f(U BE) Es handelt sich dabei um eine Diodenkennlinie, der PN-Schicht zwischen Basis und Emitter. Sie bestimmt bei welcher Basisvorspannung der Transistor leitend wird. Ausgangskennlinienfeld I C = f (U CE) Das Ausgangskennlinienfeld. Steilheit Nouns Fehler melden: strmina: Steilheit der Röhre : strmina cijevi : mittlere Steilheit: srednja strmina: effektive Steilheit: efektivna strmina: Steilheit eines Transistors : strmina tranzistor Je nach Steilheit der Röhre können die Effekte recht unterschiedlich sein, da muß man probieren. Falls ich jetzt Eulen nach Athen getragen habe, vergiß es einfach wieder. :-) 73 Peter. Nach oben. Mira S6 Beiträge: 133 Registriert: Do Okt 17, 2019 4:19 pm. Re: Zweikreiser im neuen Gewand. Beitrag von Mira » Di Mär 23, 2021 12:06 am Hallo Peter, ich hatte mich schon gestern von der ECO.
Transistoren werden überwiegend als elektronische Schalter und Verstärker eingesetzt. Die Charakterisierung der Verstärkereigenschaften eines Transistors ist die Steilheit S. e Definition: Steilheit. Die Steilheit S ist das Verhältnis vom gesteuerten Strom I a Zur Steuerspannung U e, mit: e S dI dU a e: . (4.55) Der Eingangswiderstand der Kollektorschaltung ist gegeben durch: r U I U I. Die Steilheit beschreibt die differenzielle Änderung des Kollektorstromes \({\displaystyle I_{C}}\) und der Spannung in der die Wärme gespeichert wird. Wird im Transistor zu viel Leistung umgesetzt, kann die Wärme nicht schnell genug abfließen und die Temperatur der einzelnen Schichten erhöht sich. Zudem darf die Umgebungstemperatur nicht zu hoch sein, damit die Wärme abfließen kann.
- siehe Tietze/Schenk (Kapitel: Transistor Grundschaltungen) Berechnung von C1, C2 und Ce: Zur Berechnung von C1 muss zuallererst der Eingangswiderstand re bestimmt werden. Wichtig ist hierbei auch die Bestimmung der Steilheit S: allg. S = dIc/dUBE Die Temperaturspannung wird mit 25,85mV (27 Grad) angenommen Kurzschluss-Steilheit S Eingangswiderstand Ausgangswiderstand Leerlauf-Spannungsverstärkung Kurzschluss-Stromverstärkung max. mögl. Spg.-Verstärkung (typ. ) 4.1.2. Emitterschaltung mit Wechselstrom-Gegenkopplung Eingangswiderstand Ausgangswiderstand (meist: ) Transistor mit E-Gegenkoppl Das Verhältnis der Kollektorstromänderung zur Basisspannungsänderung eines Transistors nennt man auch seine Steilheit. Die gemessene Kennlinie zeigt die Steilheit anschaulich als Steigung der Kurve. Man sieht deutlich, dass die Steilheit mit dem Kollektorstrom größer wird. Die Messungen zeigen, dass man für einen Anstieg von 1 mA auf 2 mA die Basisspannung um 20 mV erhöhen muss. Daraus. Der Stromanstieg pro Spannungsanstieg an der Basis-Emitter-Diode wird auch die Steilheit S des Transistors genannt, der differenzielle Widerstand r1 ist damit 1/S. Damit gilt r1 = 1 / S = 30mV / Ie. Dazu kommt dann noch der Widerstand zwischen Emitter und GND, der hier aber weggelassen wurde. Man erhält damit einen Verstärker, dessen Verstärkung über den Emitterstrom steuerbar ist. Die.